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2011年
IGBT模块,电容器,驱动IC,整流桥,传感器等电子元器件
北京市海淀区上地三街中黎科技园
型号:FF100R12RT4
使用英飞凌第四代芯片,34mm封装,内部拓扑结构为半桥;
可替换BSM100GB120DN2K 英飞凌第二代芯片产品;
应用于逆变焊机、充电机、高频开关电源等行业;
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